Shun-ichiro Ohmi教授于1996年在日本東京工業大學獲得應用物理電子專業工學博士后留校任教至今。1997年到1999年間在美國貝爾實驗室以博士后的身份從事低阻硅化物研究，隨后在北卡羅來納大學進行了為期六個月的學術訪問。Shun-ichiro Ohmi教授是日本文部科學省學術調查官，新能源開發機構執行官，日本電氣學會電子元件技術委員會主席，其擔任的職位負責每年數十億人民幣國家科研項目經費的審批。

       Shun-ichiro Ohmi教授長期致力于CMOS的high-k金屬柵與自對準硅化物工藝的產業化應用研究。首次發明了一種顛覆傳統氧化物high-k金屬柵、基于單一氮化鉿材料的新型high-k堆疊柵(絕緣層的等效氧化物厚度EOT小于0.5 nm)的制備技術，該發明極大地簡化了集成電路制造工藝，降低了芯片制造成本，在16 nm以下集成電路制備工藝中具有極大優勢，已引起日本多家半導體芯片制造商的高度關注，有望在下一代3D芯片中得到應用。另外，Ohmi教授開發了能制備極低CMOS接觸電阻的自對準硅化物工藝技術，該技術已經成功轉讓給某國際著名半導體公司，用于制備大規模集成電路產品。